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聯電涉嫌替中國晉華集成電路公司竊取美國知名半導體公司美光科技先進DRAM製程等機密，一審臺中地院依違反《營業秘密法》判處聯電協理戎樂天等3人分別6年半至4年半不等徒刑，聯電處以罰金1億元。二審智財法院27日改判，戎樂天無罪、聯電罰金2千萬元。
本案起於2016年間，聯電與晉華集成電路協議進行32奈米、32S奈米DRAM相關製程技術開發，由晉華提供聯電資金以採購研發設備，開發成果由雙方共同擁有，整體技術完成後將轉移至晉華公司進行32奈米DRAM及32S奈米DRAM量產。聯電為此合作案，在臺南科學園區成立「新事業發展中心」，並陸續挖角何建廷、王永銘帶槍投靠。
一審臺中地院2020年判決聯電協理戎樂天6年6個月徒刑、併科罰金新臺幣600萬元。而攜帶營業祕密投靠聯電的美光前主管何建廷、王永銘，前者處5年6個月徒刑、併科罰金500萬元；後者則處4年6個月徒刑、併科罰金400萬元。此外，聯電也遭判罰金1億元。
上訴二審後，智慧財產及商業法院合議庭認為，一審認定3人涉犯境外侵害營業祕密罪，但此部分因證據不足，改判無罪。而戎樂天被控「明知他人知悉或持有的營業祕密是侵害他人營業祕密罪」，屬告訴乃論罪，由於美光未對此提告，因此判決公訴不受理。
合議庭認定，何建廷所為是觸犯《營業秘密法》中「知悉並持有營業祕密，逾越授權範圍而重製營業祕密罪」，因此判他1年徒刑、罰金100萬元，緩刑4年；王永銘則依犯「洩漏營業祕密罪」判刑6個月、罰金100萬元，緩刑2年。此外，聯電罰金則降為2千萬元，緩刑2年，仍可上訴。
合議庭指出，聯電對何、王2人侵害美光公司營業祕密行為，尚未盡到防免義務，但考量聯電已與美光和解，美光也具狀表示從輕量刑，因此判處上述徒刑及罰金刑，均給予緩刑；何、王2人另須分別提供200至100小時不等的義務勞務。
對此，聯電表示，對於判決結果感到欣慰，感謝法院依據事實公正裁判，聯電深切期望檢方尊重上訴審法院的判決，以及聯電與美光公司於2021年11月達成全球和解，讓本案得以畫下句點。◇
