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半導體先進製程下次決戰點在2奈米，但各大廠包括台積電、三星（Samsung）、英特爾（Intel），都開始為下個世代、埃米（angstorm）時代進行布局，而High-NA（高數值孔徑）EUV（極紫外光刻）技術將是延續摩爾定律的關鍵，因此各大廠將積極引進設備，爭奪先進製程話語權。
根據艾司摩爾（ASML）最新的2024-2025年路徑圖來看，如果要抵達具有高數值孔徑的下一階段，所需時間可能要比預估的少。
目前艾司摩爾推出的3代EUV曝光設備，生產晶片精度最多2奈米，一旦要進入2奈米以下的埃米時代，就得透過更高精準度的曝光設備生產，須使用最先進的High-NA EUV微影設備，這也成為先進製程決勝的關鍵。
艾司摩爾新一代 High-NA EUV（EXE:5200），是邁向2奈米先進製程的關鍵武器，由於精密度更高、設計零件更多，機型不但比前一代還大3成，重量更超過200公噸的雙層巴士，預估每臺造價約4億美元（約新臺幣118.86億元）。
英特爾今年率先宣布，已向艾司摩爾購買業者首臺High-NA量產型EUV設備EXE:5200，每小時晶圓曝光產能逾200片，英特爾指出，未來預計會在2025年使用該設備生產；有分析師也認為，如果英特爾你搶先運用這項設備進行生產，恐怕在半導體「摩爾定律」的競賽上，有機會超車台積電。
但台積電日前於北美技術論壇首度談及EUV設備布局，指出預計在2024年引入EXE:5200，主要用於與合作夥伴的研究。不過，台積電沒有透露大規模量產的時間點。
TechInsights半導體經濟學家G. Dan Hutcheson表示，台積電打算2024年擁有這項設備，就能更快速接觸到最先進技術。
其實早在英特爾要買EXE:5200之前，業界就已傳出台積電早與艾司摩爾採購EXE:5000的機型，除了搶下大部分機臺以外，相關設備今年就可以開始供貨，每小時生產182片晶圓，與量產型機臺差異不大。
故業界認為，英特爾即便率先取得EXE:5200，但對產能幫助可能有限，想奪得未來埃米時代的市場霸主地位，仍是充滿挑戰。
